SISH410DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Varenummer
SISH410DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8SH
Effekttab (maks.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
22A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
41nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
Vgs (maks.)
±20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 42969 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISH410DN-T1-GE3 Salg
SISH410DN-T1-GE3 Leverandør
SISH410DN-T1-GE3 Distributør
SISH410DN-T1-GE3 Datatabel
SISH410DN-T1-GE3 Fotos
SISH410DN-T1-GE3 Pris
SISH410DN-T1-GE3 Tilbud
SISH410DN-T1-GE3 Laveste pris
SISH410DN-T1-GE3 Søg
SISH410DN-T1-GE3 Indkøb
SISH410DN-T1-GE3 Chip