SISH615ADN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 20 V POWERPAK 1212
Varenummer
SISH615ADN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen III
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8SH
Effekttab (maks.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET type
P-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.4 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
183nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
5590pF @ 10V
Vgs (maks.)
±12V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 26790 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISH615ADN-T1-GE3
SISH615ADN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISH615ADN-T1-GE3 Salg
SISH615ADN-T1-GE3 Leverandør
SISH615ADN-T1-GE3 Distributør
SISH615ADN-T1-GE3 Datatabel
SISH615ADN-T1-GE3 Fotos
SISH615ADN-T1-GE3 Pris
SISH615ADN-T1-GE3 Tilbud
SISH615ADN-T1-GE3 Laveste pris
SISH615ADN-T1-GE3 Søg
SISH615ADN-T1-GE3 Indkøb
SISH615ADN-T1-GE3 Chip