SISH625DN-T1-GE3
MOSFET P-CHAN 30 V POWERPAK 1212
Varenummer
SISH625DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8SH
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8SH
Effekttab (maks.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
FET type
P-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
126nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
4427pF @ 15V
Vgs (maks.)
±20V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 33418 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISH625DN-T1-GE3
SISH625DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISH625DN-T1-GE3 Salg
SISH625DN-T1-GE3 Leverandør
SISH625DN-T1-GE3 Distributør
SISH625DN-T1-GE3 Datatabel
SISH625DN-T1-GE3 Fotos
SISH625DN-T1-GE3 Pris
SISH625DN-T1-GE3 Tilbud
SISH625DN-T1-GE3 Laveste pris
SISH625DN-T1-GE3 Søg
SISH625DN-T1-GE3 Indkøb
SISH625DN-T1-GE3 Chip