SISS08DN-T1-GE3
MOSFET N-CHAN 25 V POWERPAK 1212
Varenummer
SISS08DN-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET® Gen IV
Del status
Active
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® 1212-8S
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® 1212-8S
Effekttab (maks.)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
FET type
N-Channel
Dræn til kildespænding (Vdss)
25V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
3670pF @ 12.5V
Vgs (maks.)
+20V, -16V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 47281 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSISS08DN-T1-GE3
SISS08DN-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SISS08DN-T1-GE3 Salg
SISS08DN-T1-GE3 Leverandør
SISS08DN-T1-GE3 Distributør
SISS08DN-T1-GE3 Datatabel
SISS08DN-T1-GE3 Fotos
SISS08DN-T1-GE3 Pris
SISS08DN-T1-GE3 Tilbud
SISS08DN-T1-GE3 Laveste pris
SISS08DN-T1-GE3 Søg
SISS08DN-T1-GE3 Indkøb
SISS08DN-T1-GE3 Chip