Køb Vishay Siliconix SISS67DN-T1-GE3 MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

DataSheets

SISS67DN-T1-GE3

MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-

Varenummer

SISS67DN-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET® Gen III

Del status

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® 1212-8S

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® 1212-8S

Effekttab (maks.)

65.8W (Tc)

FET type

P-Channel

Dræn til kildespænding (Vdss)

30V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

111nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

4380pF @ 15V

Vgs (maks.)

±25V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 9335 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3