Køb Vishay Siliconix SISS70DN-T1-GE3 MOSFET N-CH 125V

Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.

DataSheets

SISS70DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 125V

Varenummer

SISS70DN-T1-GE3

Producent/Mærke

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

Del status

Active

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Driftstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Monteringstype

Surface Mount

Pakke/etui

PowerPAK® 1212-8S

Leverandørenhedspakke

PowerPAK® 1212-8S

Effekttab (maks.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

FET type

N-Channel

Dræn til kildespænding (Vdss)

125V

Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29.8 mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V

Vgs (maks.)

±20V

Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Anmod om tilbud

Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.

På lager 34472 PCS

Kontakt information

Relaterede produkter

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-

Vishay Siliconix

SISS04DN-T1-GE3