SQJ200EP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
Varenummer
SQJ200EP-T1_GE3
Producent/Mærke
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
27W, 48W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
20V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
20A, 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
975pF @ 10V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 17996 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSQJ200EP-T1_GE3
SQJ200EP-T1_GE3 Elektroniske komponenter
SQJ200EP-T1_GE3 Salg
SQJ200EP-T1_GE3 Leverandør
SQJ200EP-T1_GE3 Distributør
SQJ200EP-T1_GE3 Datatabel
SQJ200EP-T1_GE3 Fotos
SQJ200EP-T1_GE3 Pris
SQJ200EP-T1_GE3 Tilbud
SQJ200EP-T1_GE3 Laveste pris
SQJ200EP-T1_GE3 Søg
SQJ200EP-T1_GE3 Indkøb
SQJ200EP-T1_GE3 Chip