SQJ912AEP-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Varenummer
SQJ912AEP-T1_GE3
Producent/Mærke
Serie
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Del status
Active
Emballage
Digi-Reel®
Driftstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8 Dual
Effekt - Maks
48W
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8 Dual
FET type
2 N-Channel (Dual)
FET-funktion
Standard
Dræn til kildespænding (Vdss)
40V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3 mOhm @ 9.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
38nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
1835pF @ 20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54037 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSQJ912AEP-T1_GE3
SQJ912AEP-T1_GE3 Elektroniske komponenter
SQJ912AEP-T1_GE3 Salg
SQJ912AEP-T1_GE3 Leverandør
SQJ912AEP-T1_GE3 Distributør
SQJ912AEP-T1_GE3 Datatabel
SQJ912AEP-T1_GE3 Fotos
SQJ912AEP-T1_GE3 Pris
SQJ912AEP-T1_GE3 Tilbud
SQJ912AEP-T1_GE3 Laveste pris
SQJ912AEP-T1_GE3 Søg
SQJ912AEP-T1_GE3 Indkøb
SQJ912AEP-T1_GE3 Chip