Billedet kan være en repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.
AGM206MAP
N+N channel 20V 25A 4.5mΩ
Varenummer
AGM206MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
AGM-Semi (core control source)
Indkapsling
PDFN3x3
Pakning
taping
Antal pakker
5000
Beskrivelse
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.