AGM-Semi (core control source)
Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
AGM206MAP N+N channel 20V 25A 4.5mΩ

AGM206MAP

N+N channel 20V 25A 4.5mΩ
Varenummer
AGM206MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
AGM-Semi (core control source)
Indkapsling
PDFN3x3
Pakning
taping
Antal pakker
5000
Beskrivelse
Field Effect Transistor (MOSFET) Type: Dual N-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A Power (Pd): 3.0W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 4.5mΩ@4.5V,10A Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 0.8V@250uA Gate Charge (Qg@Vgs): [email protected] Input Capacitance (Ciss@Vds): 1.31nF@10V ,Vds =20V Id=25A Rds=4.5mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj) DFN3*3encapsulation;
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 96912 PCS
Kontakt information
Nøgleord afAGM206MAP
AGM206MAP Elektroniske komponenter
AGM206MAP Salg
AGM206MAP Leverandør
AGM206MAP Distributør
AGM206MAP Datatabel
AGM206MAP Fotos
AGM206MAP Pris
AGM206MAP Tilbud
AGM206MAP Laveste pris
AGM206MAP Søg
AGM206MAP Indkøb
AGM206MAP Chip