Billedet kan være en repræsentation. Se specifikationer for produktdetaljer.
AGM210MAP
N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Varenummer
AGM210MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
AGM-Semi (core control source)
Indkapsling
DFN3.3x3.3
Pakning
taping
Antal pakker
5000
Beskrivelse
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.