AGM-Semi (core control source)
Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
AGM210MAP N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ

AGM210MAP

N+P channel 20V 25A/-25A 11mΩ/18mΩ
Varenummer
AGM210MAP
Kategori
Triode/MOS Tube/Transistor > Field Effect Transistor (MOSFET)
Producent/Mærke
AGM-Semi (core control source)
Indkapsling
DFN3.3x3.3
Pakning
taping
Antal pakker
5000
Beskrivelse
Type: One N-Channel, One P-Channel Drain-Source Voltage (Vdss): 20V Continuous Drain Current (Id): 25A/-25A Power (Pd): 35W On-Resistance (RDS(on)@Vgs,Id: 11mΩ@4.5V, 4A/18mΩ@10V, 3A Threshold voltage (Vgs(th)@Id): 0.7V@250uA/-0.7V@250uA Gate charge (Qg@Vgs) [email protected] /[email protected] V input capacitance (Ciss@Vds): 0.95nF@10V/0.9nF@10V, Vds=20v Id=25A/-25A Rds=11mΩ/18mΩ, working temperature: -55℃~+150℃@(Tj)
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 54280 PCS
Kontakt information
Nøgleord afAGM210MAP
AGM210MAP Elektroniske komponenter
AGM210MAP Salg
AGM210MAP Leverandør
AGM210MAP Distributør
AGM210MAP Datatabel
AGM210MAP Fotos
AGM210MAP Pris
AGM210MAP Tilbud
AGM210MAP Laveste pris
AGM210MAP Søg
AGM210MAP Indkøb
AGM210MAP Chip