CDBJFSC10650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Varenummer
CDBJFSC10650-G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-2 Full Pack
Leverandørenhedspakke
TO-220F
Diode type
Silicon Carbide Schottky
Aktuel – gennemsnitlig rettet (Io)
10A (DC)
Spænding - Fremad (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Strøm - Omvendt lækage @ Vr
100µA @ 650V
Spænding - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gendannelsestid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Kapacitans @ Vr, F
710pF @ 0V, 1MHz
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 40586 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afCDBJFSC10650-G
CDBJFSC10650-G Elektroniske komponenter
CDBJFSC10650-G Salg
CDBJFSC10650-G Leverandør
CDBJFSC10650-G Distributør
CDBJFSC10650-G Datatabel
CDBJFSC10650-G Fotos
CDBJFSC10650-G Pris
CDBJFSC10650-G Tilbud
CDBJFSC10650-G Laveste pris
CDBJFSC10650-G Søg
CDBJFSC10650-G Indkøb
CDBJFSC10650-G Chip