CDBJSC101200-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Varenummer
CDBJSC101200-G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-2
Leverandørenhedspakke
TO-220-2
Diode type
Silicon Carbide Schottky
Aktuel – gennemsnitlig rettet (Io)
10A (DC)
Spænding - Fremad (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 10A
Strøm - Omvendt lækage @ Vr
100µA @ 1200V
Spænding - DC Reverse (Vr) (Max)
1200V
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gendannelsestid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Kapacitans @ Vr, F
780pF @ 0V, 1MHz
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 42090 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afCDBJSC101200-G
CDBJSC101200-G Elektroniske komponenter
CDBJSC101200-G Salg
CDBJSC101200-G Leverandør
CDBJSC101200-G Distributør
CDBJSC101200-G Datatabel
CDBJSC101200-G Fotos
CDBJSC101200-G Pris
CDBJSC101200-G Tilbud
CDBJSC101200-G Laveste pris
CDBJSC101200-G Søg
CDBJSC101200-G Indkøb
CDBJSC101200-G Chip