CDBJSC8650-G
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
Varenummer
CDBJSC8650-G
Producent/Mærke
Serie
-
Del status
Active
Emballage
-
Monteringstype
Through Hole
Pakke/etui
TO-220-2
Leverandørenhedspakke
TO-220-2
Diode type
Silicon Carbide Schottky
Aktuel – gennemsnitlig rettet (Io)
8A (DC)
Spænding - Fremad (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 8A
Strøm - Omvendt lækage @ Vr
100µA @ 650V
Spænding - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
Fart
No Recovery Time > 500mA (Io)
Omvendt gendannelsestid (trr)
0ns
Driftstemperatur - Junction
-55°C ~ 175°C
Kapacitans @ Vr, F
560pF @ 0V, 1MHz
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 30863 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afCDBJSC8650-G
CDBJSC8650-G Elektroniske komponenter
CDBJSC8650-G Salg
CDBJSC8650-G Leverandør
CDBJSC8650-G Distributør
CDBJSC8650-G Datatabel
CDBJSC8650-G Fotos
CDBJSC8650-G Pris
CDBJSC8650-G Tilbud
CDBJSC8650-G Laveste pris
CDBJSC8650-G Søg
CDBJSC8650-G Indkøb
CDBJSC8650-G Chip