C3M0065100J-TR
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Varenummer
C3M0065100J-TR
Producent/Mærke
Serie
C3M™
Del status
Active
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverandørenhedspakke
TO-263-7
Effekttab (maks.)
113.5W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (maks.)
+15V, -4V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 35016 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afC3M0065100J-TR
C3M0065100J-TR Elektroniske komponenter
C3M0065100J-TR Salg
C3M0065100J-TR Leverandør
C3M0065100J-TR Distributør
C3M0065100J-TR Datatabel
C3M0065100J-TR Fotos
C3M0065100J-TR Pris
C3M0065100J-TR Tilbud
C3M0065100J-TR Laveste pris
C3M0065100J-TR Søg
C3M0065100J-TR Indkøb
C3M0065100J-TR Chip