C3M0065100K
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Varenummer
C3M0065100K
Producent/Mærke
Serie
C3M™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
-
Pakke/etui
TO-247-4
Leverandørenhedspakke
TO-247-4L
Effekttab (maks.)
113.5W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
1000V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 15V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
660pF @ 600V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (maks.)
+19V, -8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 20154 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afC3M0065100K
C3M0065100K Elektroniske komponenter
C3M0065100K Salg
C3M0065100K Leverandør
C3M0065100K Distributør
C3M0065100K Datatabel
C3M0065100K Fotos
C3M0065100K Pris
C3M0065100K Tilbud
C3M0065100K Laveste pris
C3M0065100K Søg
C3M0065100K Indkøb
C3M0065100K Chip