Billedet kan være en repræsentation.
Se specifikationer for produktdetaljer.
C3M0120090J

C3M0120090J

MOSFET N-CH 900V 22A
Varenummer
C3M0120090J
Producent/Mærke
Serie
C3M™
Del status
Active
Emballage
Tube
Teknologi
SiCFET (Silicon Carbide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Leverandørenhedspakke
D2PAK-7
Effekttab (maks.)
83W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
900V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
17.3nC @ 15V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
350pF @ 600V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
15V
Vgs (maks.)
+18V, -8V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 25794 PCS
Kontakt information
Nøgleord afC3M0120090J
C3M0120090J Elektroniske komponenter
C3M0120090J Salg
C3M0120090J Leverandør
C3M0120090J Distributør
C3M0120090J Datatabel
C3M0120090J Fotos
C3M0120090J Pris
C3M0120090J Tilbud
C3M0120090J Laveste pris
C3M0120090J Søg
C3M0120090J Indkøb
C3M0120090J Chip