SIR838DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Varenummer
SIR838DP-T1-GE3
Producent/Mærke
Serie
TrenchFET®
Del status
Obsolete
Emballage
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Driftstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype
Surface Mount
Pakke/etui
PowerPAK® SO-8
Leverandørenhedspakke
PowerPAK® SO-8
Effekttab (maks.)
5.4W (Ta), 96W (Tc)
FET type
N-Channel
FET-funktion
-
Dræn til kildespænding (Vdss)
150V
Strøm - Kontinuerligt dræn (Id) @ 25�C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Input Kapacitans (Ciss) (Max) @ Vds
2075pF @ 75V
Drivspænding (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Anmod om tilbud
Udfyld venligst alle påkrævede felter og klik på "SEND", vi kontakter dig om 12 timer via e-mail. Hvis du har problemer, bedes du efterlade beskeder eller e-mail til [email protected], vil vi svare hurtigst muligt.
På lager 41019 PCS
Kontakt information
Relaterede produkter
Nøgleord afSIR838DP-T1-GE3
SIR838DP-T1-GE3 Elektroniske komponenter
SIR838DP-T1-GE3 Salg
SIR838DP-T1-GE3 Leverandør
SIR838DP-T1-GE3 Distributør
SIR838DP-T1-GE3 Datatabel
SIR838DP-T1-GE3 Fotos
SIR838DP-T1-GE3 Pris
SIR838DP-T1-GE3 Tilbud
SIR838DP-T1-GE3 Laveste pris
SIR838DP-T1-GE3 Søg
SIR838DP-T1-GE3 Indkøb
SIR838DP-T1-GE3 Chip